APT20M60BNR datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  APT20M60BNR
• Производитель
  Microsemi Corporation
• Описание
  Microsemi Corporation APT20M60BNR Package Shape: RECTANGULAR Package Style: FLANGE MOUNT Terminal Form: THROUGH-HOLE Terminal Finish: TIN LEAD Terminal Position: SINGLE Number of Terminals: 3 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Case Connection: DRAIN Number of Elements: 1 Transistor Element Material: SILICON Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER Drain Current-Max (ID): 50 A DS Breakdown Voltage-Min: 200 V Avalanche Energy Rating (Eas): 1300 mJ Drain-source On Resistance-Max: 0.0600 ohm Pulsed Drain Current-Max (IDM): 200 A
• Количество страниц
  4 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet APT20M60BNR.pdf
Файл формата Pdf 195,98 KB